Siliciumcarbide keramiek heeft een hoge temperatuursterkte, hoge temperatuur oxidatieweerstand, goede slijtvastheid, goede thermische stabiliteit, kleine thermische uitzettingscoëfficiënt, hoge thermische geleidbaarheid, hoge hardheid, hitteschokbestendigheid, chemische corrosieweerstand en andere uitstekende eigenschappen.Het is op grote schaal gebruikt in auto's, mechanisatie, milieubescherming, ruimtevaarttechnologie, informatie-elektronica, energie en andere gebieden, en is een onvervangbaar structureel keramiek geworden met uitstekende prestaties op veel industriële gebieden.Laat me het je nu laten zien!
Drukloos sinteren
Drukloos sinteren wordt beschouwd als de meest veelbelovende methode voor SiC-sinteren.Volgens verschillende sintermechanismen kan sinteren zonder druk worden onderverdeeld in sinteren in vaste fase en sinteren in vloeibare fase.Via ultrafijne - werd tegelijkertijd een juiste hoeveelheid B en C (zuurstofgehalte minder dan 2%) aan SiC-poeder toegevoegd, en s.proehazka werd gesinterd tot SiC gesinterd lichaam met een dichtheid hoger dan 98% in 2020 ℃.A. Mulla et al.Al2O3 en Y2O3 werden gebruikt als additieven en gesinterd bij 1850-1950 voor 0,5 m β-SiC (deeltjesoppervlak bevat een kleine hoeveelheid SiO2).De relatieve dichtheid van de verkregen SiC-keramiek is groter dan 95% van de theoretische dichtheid en de korrelgrootte is klein en de gemiddelde grootte.Het is 1,5 micron.
Hete pers sinteren
Zuiver SiC kan alleen compact worden gesinterd bij zeer hoge temperatuur zonder enige sinteradditieven, dus veel mensen implementeren een heetperssinterproces voor SiC.Er zijn veel berichten over het heetpersen van sinteren van SiC door toevoeging van sinterhulpmiddelen.Alliegro et al.Bestudeerde het effect van boor, aluminium, nikkel, ijzer, chroom en andere metaaladditieven op SiC-verdichting.De resultaten tonen aan dat aluminium en ijzer de meest effectieve additieven zijn om SiC-sintering bij heet persen te bevorderen.FFlange onderzocht het effect van het toevoegen van verschillende hoeveelheden Al2O3 op de eigenschappen van heetgeperst SiC.Er wordt aangenomen dat de verdichting van heetgeperst SiC verband houdt met het mechanisme van oplossen en neerslaan.Het hete pers-sinterproces kan echter alleen SiC-onderdelen met een eenvoudige vorm produceren.De hoeveelheid producten die wordt geproduceerd door het eenmalige hete perssinterproces is erg klein, wat niet bevorderlijk is voor industriële productie.
Heet isostatisch persen sinteren
Om de tekortkomingen van het traditionele sinterproces te verhelpen, werden B-type en C-type gebruikt als additieven en werd de hete isostatische perssintertechnologie toegepast.Bij 1900 ° C werden fijne kristallijne keramiek met een dichtheid groter dan 98 verkregen en de buigsterkte bij kamertemperatuur kon 600 MPa bereiken.Hoewel het sinteren met heet isostatisch persen producten met een dichte fase met complexe vormen en goede mechanische eigenschappen kan produceren, moet het sinteren worden afgedicht, wat moeilijk is om industriële productie te bereiken.
Reactie sinteren
Reactie gesinterd siliciumcarbide, ook bekend als zelfgebonden siliciumcarbide, verwijst naar het proces waarbij de poreuze knuppel reageert met de gas- of vloeistoffase om de kwaliteit van de knuppel te verbeteren, de porositeit te verminderen en afgewerkte producten te sinteren met een bepaalde sterkte en maatnauwkeurigheid.neem α- SiC-poeder en grafiet worden in een bepaalde verhouding gemengd en tot ongeveer 1650 ℃ verwarmd om een vierkante knuppel te vormen.Tegelijkertijd dringt of dringt het door in de knuppel door gasvormig Si en reageert met grafiet om β-SiC te vormen, gecombineerd met bestaande α-SiC-deeltjes.Wanneer Si volledig is geïnfiltreerd, kan het gesinterde reactielichaam met volledige dichtheid en niet-krimpende grootte worden verkregen.In vergelijking met andere sinterprocessen is de grootteverandering van het reactiesinteren in het verdichtingsproces klein en kunnen de producten met een nauwkeurige grootte worden bereid.De aanwezigheid van een grote hoeveelheid SiC in het gesinterde lichaam maakt de eigenschappen van gesinterde SiC-keramiek bij hoge temperaturen echter slechter.
Posttijd: juni-08-2022